反应磁控溅射系统

反应磁控溅射系统：

1、新型反应磁控溅射技术相比IBD技术的优点：制造和使用成本更低、产能更大；可以实现多靶共溅射，应力调节能力更强，不会造成半导体基片损伤，可以用于玻璃基片或者半导体基片，应用广泛。
2、设备特点：全自动程序控制实现“一键”完成，采用共焦式/垂直溅射结构，结构紧凑，功能全面，操作界面友好，稳定可靠，适合于研发和生产需要；
3、设备组成：单片/多片进样室、工艺腔室、溅射系统、射频离子源辅助系统、真空系统、加热/冷却系统、气体传输系统、全自动程序控制系统等；
4、溅射方式：直流脉冲反应溅射、射频反应溅射、反应共溅射；
5、应用：溅射生成各种介电材料，如氧化物、氮化物、氮氧化物等；
6、型号：YRSII-650/YRSII-750/YRSII-900；
7、区别简述：
YRSII-650真空室边长650mm，配置两个4英寸靶枪（垂直或者共焦向上溅射），一个口径60mm射频离子源，适用于不同尺寸样品及巴条等；
YRSII-750真空室边长750mm，配置三个6英寸靶枪（垂直或者共焦向上溅射），一个口径100mm射频离子源，适用于不同尺寸样品及巴条等；
YRSII-900真空室边长900mm，配置三个8英寸靶枪（垂直或者共焦向上溅射），一个口径150mm射频离子源，适用于不同尺寸样品及巴条等；

• 长沙元戎科技有限责任公司产品中心：共焦磁控磁控溅射系统、蒸发系统、反应磁控溅射系统、多工艺腔室集成系统、专用定制系统、连续生产线